中科院國家納米科學中心孫連峰研究員小組與物理所解思深院士小組合作，在制備高質量碳納米管膜(Adv. Mater.18, 1817(2006))的基礎上，又發(fā)展了一種有效制備碳納米管晶體的方法。他們使用金剛石拉絲模使碳納米管膜中取向雜亂的單壁碳納米管定向，密度增大。進一步的樣品分析表明，雖然樣品中單壁碳納米管的直徑無法精確控制，但選擇合適的生長條件，縮小碳納米管的直徑分布，最大幾率直徑的碳納米管可以通過范德瓦爾斯力的作用形成二維三角格子(碳納米管晶體)，其他直徑的單壁碳納米管可以看作是這種晶格的缺陷。由于單壁管之間的距離與石墨層間距類似，在碳納米管晶體中他們首次觀測到尖銳、峰位與石墨(002)衍射峰接近的衍射峰。同時，Raman散射研究發(fā)現碳納米管晶體中的呼吸模與原材料碳納米管的呼吸模相比有明顯的區(qū)別，在碳納米管晶體中，較大管徑碳管的呼吸模出現軟化現象，反映了碳納米管之間相互作用較強。
該項研究對于開展碳納米管晶體性質研究具有重要的意義(如摻雜后可能呈現超導特性)。該研究部分結果已經在3月14號《納米快報》（Nano Letters）上發(fā)表。
上述研究工作得到國家自然科學基金委、科技部和中國科學院“百人計劃”項目的支持
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